SIR800DP-T1-GE3
SIR800DP-T1-GE3
رقم القطعة:
SIR800DP-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12533 Pieces
ورقة البيانات:
SIR800DP-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIR800DP-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIR800DP-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIR800DP-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SO-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.3 mOhm @ 15A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):5.2W (Ta), 69W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SO-8
اسماء اخرى:SIR800DP-T1-GE3TR
SIR800DPT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIR800DP-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5125pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:133nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات