يشترى SIRA18DP-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | +20V, -16V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 |
اسماء اخرى: | SIRA18DP-T1-GE3TR SIRA18DPT1GE3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SIRA18DP-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1000pF @ 15V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 21.5nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 30V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
Email: | [email protected] |