يشترى SIS902DN-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIS902DN-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SIS902DN-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15994 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIS902DN-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIS902DN-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIS902DN-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 186 mOhm @ 3A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 15.4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| اسماء اخرى: | SIS902DN-T1-GE3TR SIS902DNT1GE3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SIS902DN-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 175pF @ 38V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 75V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIS902DN-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ALD212900PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | تحقيق |
 |
FDMD82100 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER | تحقيق |
 |
FDS8949_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDMB3900AN | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP | تحقيق |
 |
AOP610 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 8DIP | تحقيق |
 |
SH8M14TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP | تحقيق |
 |
ALD310704PCL | Advanced Linear Devices Inc. | QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR | تحقيق |
 |
SI6983DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP | تحقيق |
 |
SI3948DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | تحقيق |
 |
NX1029X,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 | تحقيق |
 |
SP8K5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
CSD75211W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog