SIUD403ED-T1-GE3
رقم القطعة:
SIUD403ED-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 20V 500MA 0806
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19391 Pieces
ورقة البيانات:
SIUD403ED-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIUD403ED-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIUD403ED-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIUD403ED-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:900mV @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 0806
سلسلة:TrenchFET® Gen III
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):1.25W (Ta)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:PowerPAK® 0806
اسماء اخرى:SIUD403ED-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIUD403ED-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:31pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 500mA (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 500MA 0806
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات