SIZ730DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SIZ730DT-T1-GE3

SIZ730DT-T1-GE3

رقم القطعة:: SIZ730DT-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19324 Pieces

ورقة البيانات:: SIZ730DT-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIZ730DT-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIZ730DT-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SIZ730DT-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	2.2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	6-PowerPair™
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	9.3 mOhm @ 15A, 10V
السلطة - ماكس:	27W, 48W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	6-PowerPair™
اسماء اخرى:	SIZ730DT-T1-GE3TR SIZ730DTT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SIZ730DT-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	830pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	24nC @ 10V
نوع FET:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	30V
وصف:	MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	16A, 35A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSIZ730DT-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
APTM50HM38FG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6	تحقيق
SI1557DH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6	تحقيق
ZXMD65P03N8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC	تحقيق
DMN601VKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563	تحقيق
FDW2510NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 6.4A 8TSSOP	تحقيق
FDMD8240LET40	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار