SIZ730DT-T1-GE3
SIZ730DT-T1-GE3
رقم القطعة:
SIZ730DT-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19324 Pieces
ورقة البيانات:
SIZ730DT-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIZ730DT-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIZ730DT-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIZ730DT-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:6-PowerPair™
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9.3 mOhm @ 15A, 10V
السلطة - ماكس:27W, 48W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-PowerPair™
اسماء اخرى:SIZ730DT-T1-GE3TR
SIZ730DTT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIZ730DT-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:830pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:24nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:16A, 35A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات