يشترى SJPA-H3V مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SJPA-H3V
- رقم القطعة:
- SJPA-H3V
- الصانع:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 30V 2A SJP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16883 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.SJPA-H3V.pdf2.SJPA-H3V.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SJPA-H3V ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SJPA-H3V عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 360mV @ 2A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 2-SMD |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2-SMD, J-Lead |
| اسماء اخرى: | SJPA-H3V DK |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SJPA-H3V |
| وصف موسع: | Diode Schottky 30V 2A Surface Mount 2-SMD |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 30V 2A SJP |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 3mA @ 30V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSJPA-H3V
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SJPA-L3 | Sanken | DIODE SCHOTTKY 30V 3A SJP | تحقيق |
 |
FSV12120V | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277-3 | تحقيق |
 |
1N6076US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 6A D5B | تحقيق |
 |
MUR140-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | تحقيق |
 |
EGP30B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AE | تحقيق |
|
SJPA-H3VL | Sanken | DIODE SCHOTTKY SMD | تحقيق |
|
SJPA-H3VR | Sanken | DIODE SCHOTTKY SMD | تحقيق |
 |
SJPA-D3V | Sanken | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SJP | تحقيق |
|
SJPA-L3VR | Sanken | DIODE SCHOTTKY 30V 3A SJP | تحقيق |
 |
VS-SD1100C08L | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 800V 1170A DO200AB | تحقيق |
|
SJPA-L3V | Sanken | DIODE SCHOTTKY 30V 3A SJP | تحقيق |
 |
FERD20H100SFP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 100V 20A TO220FP | تحقيق |
 |
B180B-13 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 80V 1A SMB | تحقيق |
|
SJPA-D3VR | Sanken | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SJP | تحقيق |
|
SJPA-L3VL | Sanken | DIODE SCHOTTKY SMD | تحقيق |
|
SJPA-D3 | Sanken | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SJP | تحقيق |
 |
DSEP60-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | تحقيق |
|
SJPA-D3VL | Sanken | DIODE SCHOTTKY SMD | تحقيق |
 |
GP15BHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC | تحقيق |
 |
STTH212S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog