يشترى SJPX-H6VR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SJPX-H6VR
- رقم القطعة:
- SJPX-H6VR
- الصانع:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 2A SJP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14370 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.SJPX-H6VR.pdf2.SJPX-H6VR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SJPX-H6VR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SJPX-H6VR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.5V @ 2A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 2-SMD |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 30ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2-SMD, J-Lead |
| اسماء اخرى: | SJPX-H6VR DK SJPX-H6VRTR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SJPX-H6VR |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount 2-SMD |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 2A SJP |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSJPX-H6VR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AR3PM-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 1KV 1.6A TO277 | تحقيق |
 |
RO 2V1 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL | تحقيق |
 |
EL 1V1 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.5A AXIAL | تحقيق |
 |
SBR8E20P5-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 20V 8A POWERDI5 | تحقيق |
 |
1N5394 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 1.5A DO15 | تحقيق |
 |
SJPX-H3VR | Sanken | DIODE GEN PURP 300V 2A SJP | تحقيق |
|
SJPX-F2V | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP | تحقيق |
|
SJPX-F2 | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP | تحقيق |
|
SJPX-H6 | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 2A SJP | تحقيق |
|
SJPX-H6VL | Sanken | DIODE FAST RECOVERY SMD | تحقيق |
|
SJPX-H3 | Sanken | DIODE GEN PURP 300V 2A SJP | تحقيق |
 |
BAV116HWFQ-7 | Diodes Incorporated | DIODE SW 85V 215MA SOD123F | تحقيق |
 |
IDH02SG120XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 | تحقيق |
 |
GP02-35-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 3.5KV 250MA DO204 | تحقيق |
|
SJPX-H6V | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 2A SJP | تحقيق |
|
SJPX-F2VR | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP | تحقيق |
|
SJPX-H3V | Sanken | DIODE GEN PURP 300V 2A SJP | تحقيق |
 |
FR70GR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5 | تحقيق |
|
SJPX-F2VL | Sanken | DIODE FAST RECOVERY SMD | تحقيق |
|
SJPX-H3VL | Sanken | DIODE FAST RECOVERY SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog