يشترى SP8M3FU6TB مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SP8M3FU6TB
- رقم القطعة:
- SP8M3FU6TB
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19758 Pieces
- ورقة البيانات:
- SP8M3FU6TB.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SP8M3FU6TB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SP8M3FU6TB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 51 mOhm @ 5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | SP8M3FU6TB-ND SP8M3FU6TBTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SP8M3FU6TB |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 230pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5.5nC @ 5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5A, 4.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSP8M3FU6TB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SP8M3TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
IRF7750 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
APTC60HM45SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4 | تحقيق |
 |
PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6 | تحقيق |
 |
FDC6305N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 | تحقيق |
|
IRF9395MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET | تحقيق |
 |
MCH6601-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6 | تحقيق |
 |
IRF7316PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTMD5838NLR2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC | تحقيق |
 |
APTC60AM45BC1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
 |
PMDPB70XPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON | تحقيق |
 |
AO4852L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
PMWD16UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog