يشترى SPB42N03S2L13T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPB42N03S2L13T
- رقم القطعة:
- SPB42N03S2L13T
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13840 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPB42N03S2L13T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPB42N03S2L13T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPB42N03S2L13T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 37µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12.6 mOhm @ 21A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 83W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | SP000016256 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPB42N03S2L13T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1130pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30.5nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPB42N03S2L13T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB42N03S2L-13 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK | تحقيق |
|
IRL1404ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
STP10NK70Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220 | تحقيق |
 |
BSP324L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 | تحقيق |
|
SPB42N03S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK | تحقيق |
 |
RRS100N03TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | تحقيق |
 |
CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | تحقيق |
 |
STL10N3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT | تحقيق |
 |
SQJA62EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A SO8 | تحقيق |
 |
FQA35N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P | تحقيق |
 |
IXTK170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A TO-264 | تحقيق |
 |
SUD50N10-18P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252 | تحقيق |
 |
BSL307SP | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP | تحقيق |
|
SUD50N04-05L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 115A TO252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog