SPB77N06S2-12
SPB77N06S2-12
رقم القطعة:
SPB77N06S2-12
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
12909 Pieces
ورقة البيانات:
SPB77N06S2-12.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPB77N06S2-12 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPB77N06S2-12 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SPB77N06S2-12 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 93µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3-2
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:12 mOhm @ 38A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):158W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:SP000013587
SPB77N06S212T
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SPB77N06S2-12
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2350pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:60nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات