يشترى SPB80N06S2L-09 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPB80N06S2L-09
- رقم القطعة:
- SPB80N06S2L-09
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14299 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPB80N06S2L-09.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPB80N06S2L-09 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPB80N06S2L-09 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 125µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8.5 mOhm @ 52A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 190W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | SP000013582 SPB80N06S2L09T |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPB80N06S2L-09 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3480pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 105nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPB80N06S2L-09
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SPB80N06S2L-11 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SPB80N06S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SPB80N06S2-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SPB80N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SPB80N06S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SPB80N06S2-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SPB80N06S2-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SPB80N06S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SPB80N06S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog