SPD50N03S2L06GBTMA1
SPD50N03S2L06GBTMA1
رقم القطعة:
SPD50N03S2L06GBTMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12864 Pieces
ورقة البيانات:
SPD50N03S2L06GBTMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPD50N03S2L06GBTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPD50N03S2L06GBTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SPD50N03S2L06GBTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 85µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:6.4 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):136W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:SP000443924
SPD50N03S2L-06 G
SPD50N03S2L-06 G-ND
SPD50N03S2L-06 GTR-ND
SPD50N03S2L06G
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SPD50N03S2L06GBTMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2530pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:68nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات