يشترى SPI12N50C3XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 500µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3-1 |
سلسلة: | CoolMOS™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
اسماء اخرى: | SP000680996 SPI12N50C3 SPI12N50C3-ND SPI12N50C3IN SPI12N50C3IN-ND SPI12N50C3X SPI12N50C3XK |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SPI12N50C3XKSA1 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1200pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 49nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 560V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 560V |
وصف: | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |