يشترى SPP11N60C3XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPP11N60C3XKSA1
- رقم القطعة:
- SPP11N60C3XKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17513 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPP11N60C3XKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPP11N60C3XKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPP11N60C3XKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220-3-1 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | SP000681040 SPP11N60C3 SPP11N60C3BKSA1 SPP11N60C3IN SPP11N60C3IN-ND SPP11N60C3X SPP11N60C3XIN SPP11N60C3XIN-ND SPP11N60C3XK |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SPP11N60C3XKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPP11N60C3XKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
 |
SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
|
SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | تحقيق |
|
SPP11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | تحقيق |
|
SPP11N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTV26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 | تحقيق |
 |
AOB14N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK | تحقيق |
|
AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | تحقيق |
 |
TPCP8004(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8 | تحقيق |
|
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog