العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SPP18P06PHKSA1
SPP18P06PHKSA1
SPP18P06PHKSA1
رقم القطعة:
SPP18P06PHKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19092 Pieces
ورقة البيانات:
SPP18P06PHKSA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPP18P06PHKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPP18P06PHKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SPP18P06PHKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO-220-3
سلسلة:SIPMOS®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:130 mOhm @ 13.2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):81.1W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SPP18P06PHKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:860pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:28nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO-220-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18.7A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSPP18P06PHKSA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTU50N085T Image IXTU50N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 50A TO-251 تحقيق
SPP18P06P H Image SPP18P06P H Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220 تحقيق
FQB11N40TM Image FQB11N40TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK تحقيق
IRFP450PBF Image IRFP450PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC تحقيق
IRLIZ34NPBF Image IRLIZ34NPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP تحقيق
TPH6400ENH,L1Q Image TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP تحقيق
IRL2505S Image IRL2505S Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK تحقيق
IPS075N03LGBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3 تحقيق
STB31N65M5 Image STB31N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK تحقيق
CSD13385F5T Texas Instruments 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE تحقيق
IXKC15N60C5 IXYS MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 تحقيق
BTS244ZNKSA1 Image BTS244ZNKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 تحقيق
ZXMN3B01FTA Image ZXMN3B01FTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3 تحقيق
HUFA75333S3S Image HUFA75333S3S Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK تحقيق
BBS3002-TL-1E Image BBS3002-TL-1E ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 100A تحقيق
DMP2069UFY4-7 Image DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN تحقيق
IXFH24N50 Image IXFH24N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD تحقيق
STD120N4F6 Image STD120N4F6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 80A DPAK تحقيق

Latest الأخبار