العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SPU07N60S5
SPU07N60S5
SPU07N60S5
رقم القطعة:
SPU07N60S5
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14422 Pieces
ورقة البيانات:
SPU07N60S5.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPU07N60S5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPU07N60S5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SPU07N60S5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 350µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO251-3
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:600 mOhm @ 4.6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):83W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:SPU07N60S5-ND
SPU07N60S5IN
SPU07N60S5X
SPU07N60S5XK
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SPU07N60S5
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:970pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:35nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSPU07N60S5

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SIE822DF-T1-E3 Image SIE822DF-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK تحقيق
MMDFS6N303R2 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC تحقيق
STI45N10F7 Image STI45N10F7 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK تحقيق
FDBL86563_F085 Image FDBL86563_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 240A PSOF8 تحقيق
CSD17484F4 Texas Instruments N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET تحقيق
IXFR180N06 Image IXFR180N06 IXYS MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 تحقيق
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT تحقيق
IXFK80N65X2 Image IXFK80N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 80A TO-264 تحقيق
IXTP62N15P Image IXTP62N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 62A TO-220 تحقيق
SPU07N60C3 Image SPU07N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251 تحقيق
BUK9Y12-40E,115 Image BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V LFPAK تحقيق
SI4403BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC تحقيق
ZXMP7A17KTC Image ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK تحقيق
IRFZ30PBF Image IRFZ30PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB تحقيق
DMT3004LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI تحقيق
SI4686DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC تحقيق
IPW60R280P6FKSA1 Image IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-3 تحقيق
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 تحقيق

Latest الأخبار