العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SPU08P06P
SPU08P06P
SPU08P06P
رقم القطعة:
SPU08P06P
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19268 Pieces
ورقة البيانات:
SPU08P06P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPU08P06P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPU08P06P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SPU08P06P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO251-3
سلسلة:SIPMOS®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:300 mOhm @ 6.2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):42W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:SP000012086
SPU08P06PIN
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SPU08P06PXTIN-ND
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SPU08P06P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:420pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:13nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 60V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8.83A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSPU08P06P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
CSD19535KTT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A TO263 تحقيق
STF25N10F7 Image STF25N10F7 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FP تحقيق
IPU60R1K5CEAKMA1 Image IPU60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 تحقيق
NTA4153NT1G Image NTA4153NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 تحقيق
IPI90R1K2C3XKSA1 Image IPI90R1K2C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 تحقيق
STP8NM50N Image STP8NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB تحقيق
IXTX24N100 Image IXTX24N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 تحقيق
STW12N120K5 Image STW12N120K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 تحقيق
IXFK88N30P Image IXFK88N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 88A TO-264 تحقيق
IRF7321D2TR Image IRF7321D2TR Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC تحقيق
IRF6609TR1PBF Image IRF6609TR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET تحقيق
STW72N60DM2AG Image STW72N60DM2AG STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 66A تحقيق
IXFH74N20P Image IXFH74N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 تحقيق
IPD70R950CEAUMA1 Image IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3 تحقيق
IRF6215STRLPBF Image IRF6215STRLPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK تحقيق
NVJS4405NT1G Image NVJS4405NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88 تحقيق
SI5404BDC-T1-GE3 Image SI5404BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 تحقيق
NTD65N03RT4G Image NTD65N03RT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK تحقيق
RFD14N05SM Image RFD14N05SM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA تحقيق
STW42N65M5 Image STW42N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار