SQ2319ES-T1-GE3
رقم القطعة:
SQ2319ES-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18317 Pieces
ورقة البيانات:
SQ2319ES-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQ2319ES-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQ2319ES-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SQ2319ES-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3 (TO-236)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:75 mOhm @ 3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:SQ2319ES-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SQ2319ES-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:620pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:16nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 40V 4.6A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات