SQJ202EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

رقم القطعة:: SQJ202EP-T1_GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13627 Pieces

ورقة البيانات:: SQJ202EP-T1_GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQJ202EP-T1_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQJ202EP-T1_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SQJ202EP-T1_GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
سلسلة:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	6.5 mOhm @ 15A, 10V
السلطة - ماكس:	27W, 48W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	PowerPAK® SO-8 Dual
اسماء اخرى:	SQJ202EP-T1_GE3TR
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	18 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SQJ202EP-T1_GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	975pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	22nC @ 10V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Standard
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	12V
وصف:	MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	20A, 60A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSQJ202EP-T1_GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SSM6P41FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6	تحقيق
ALD114835PCL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP	تحقيق
NX3008CBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V SOT666	تحقيق
FDMS3600AS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN	تحقيق
DMC1229UFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6	تحقيق
AO4803A	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC	تحقيق
AUIRF7103QTR	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC	تحقيق
DMN65D8LDWQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363	تحقيق
NSTJD1155LT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88	تحقيق
APTM50HM65FTG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4	تحقيق
SQJ200EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO	تحقيق
SQJ990EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8	تحقيق
AON6978	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8-DFN	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار