SQJ431EP-T1_GE3
SQJ431EP-T1_GE3
رقم القطعة:
SQJ431EP-T1_GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17151 Pieces
ورقة البيانات:
SQJ431EP-T1_GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQJ431EP-T1_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQJ431EP-T1_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SQJ431EP-T1_GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SO-8
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:213 mOhm @ 1A, 4V
تبديد الطاقة (ماكس):83W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SO-8
اسماء اخرى:SQJ431EP-T1_GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:SQJ431EP-T1_GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4355pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:160nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):6V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET P-CHAN 200V SO8L
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات