SQJ941EP-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

رقم القطعة:: SQJ941EP-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17275 Pieces

ورقة البيانات:: SQJ941EP-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQJ941EP-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQJ941EP-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SQJ941EP-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	2.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® SO-8 Dual
سلسلة:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	24 mOhm @ 9A, 10V
السلطة - ماكس:	55W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	PowerPAK® SO-8 Dual
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SQJ941EP-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	1800pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	55nC @ 10V
نوع FET:	2 P-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 55W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	30V
وصف:	MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	8A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSQJ941EP-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
BUK9K25-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK	تحقيق
FDMD8240L	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 40V 23A	تحقيق
SQJ946EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8	تحقيق
SI6975DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP	تحقيق
SSM6N37CTD(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D	تحقيق
SQJ940EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار