يشترى SQJ951EP-T1_GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SQJ951EP-T1_GE3
- رقم القطعة:
- SQJ951EP-T1_GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15741 Pieces
- ورقة البيانات:
- SQJ951EP-T1_GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQJ951EP-T1_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQJ951EP-T1_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 17 mOhm @ 7.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 56W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| اسماء اخرى: | SQJ951EP-T1-GE3 SQJ951EP-T1-GE3-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SQJ951EP-T1_GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1680pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 50nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 30A 56W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSQJ951EP-T1_GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN5L06VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | تحقيق |
 |
DMP1055UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020 | تحقيق |
 |
AO6808 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP | تحقيق |
 |
SP8K1FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC | تحقيق |
 |
AUIRF9952Q | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO | تحقيق |
 |
AON2801L#A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L | تحقيق |
 |
ZXMP3A17DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SQJB40EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8 | تحقيق |
 |
IRF7750TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP | تحقيق |
|
IRF9358PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC | تحقيق |
|
DMG9933USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO | تحقيق |
|
AUIRF7313Q | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog