يشترى SQJB60EP-T1_GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SQJB60EP-T1_GE3
- رقم القطعة:
- SQJB60EP-T1_GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19320 Pieces
- ورقة البيانات:
- SQJB60EP-T1_GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQJB60EP-T1_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQJB60EP-T1_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 mOhm @ 10A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 48W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| اسماء اخرى: | SQJB60EP-T1_GE3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SQJB60EP-T1_GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSQJB60EP-T1_GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM50DSK10T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 | تحقيق |
 |
IRF7754TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | تحقيق |
 |
SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
AO8804_100 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V | تحقيق |
 |
IRF7324TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMTH6010LPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI | تحقيق |
 |
AO4619 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
|
BSS8402DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog