يشترى SQM120P04-04L_GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SQM120P04-04L_GE3
- رقم القطعة:
- SQM120P04-04L_GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18633 Pieces
- ورقة البيانات:
- SQM120P04-04L_GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQM120P04-04L_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQM120P04-04L_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (D2Pak) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 375W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | SQM120P04-04L-GE3 SQM120P04-04L-GE3-ND SQM120P04-04L_GE3-ND SQM120P04-04L_GE3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SQM120P04-04L_GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13980pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 330nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف: | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSQM120P04-04L_GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | تحقيق |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | تحقيق |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | تحقيق |
 |
IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 | تحقيق |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | تحقيق |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | تحقيق |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | تحقيق |
 |
IRCZ34PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220-5 | تحقيق |
 |
NTK3043NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 | تحقيق |
 |
PHP20N06T,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB | تحقيق |
|
SQM120P06-07L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 | تحقيق |
|
STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog