العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SSM6H19NU,LF
SSM6H19NU,LF
SSM6H19NU,LF
رقم القطعة:
SSM6H19NU,LF
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13915 Pieces
ورقة البيانات:
SSM6H19NU,LF.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SSM6H19NU,LF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SSM6H19NU,LF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SSM6H19NU,LF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.2V @ 1mA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:6-UDFN (2x2)
سلسلة:U-MOSVII-H
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:185 mOhm @ 1A, 8V
تبديد الطاقة (ماكس):1W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-UDFN Exposed Pad
اسماء اخرى:SSM6H19NU,LF(B
SSM6H19NU,LF(T
SSM6H19NULFTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:SSM6H19NU,LF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:130pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:2.2nC @ 4.2V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 8V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSSM6H19NU,LF

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRLR9343TRLPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 20A DPAK تحقيق
IXTQ240N055T Image IXTQ240N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P تحقيق
STF6N90K5 Image STF6N90K5 STMicroelectronics N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 تحقيق
FDS4435A Image FDS4435A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC تحقيق
IPP100N04S204AKSA1 Image IPP100N04S204AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 تحقيق
FDR858P Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 تحقيق
STF26N60M2 Image STF26N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP تحقيق
SI4654DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC تحقيق
R6030KNZ1C9 Image R6030KNZ1C9 Rohm Semiconductor NCH 600V 30A POWER MOSFET تحقيق
NDF08N60ZH Image NDF08N60ZH ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8.4A TO-220FP تحقيق
IRFR420ATRPBF Image IRFR420ATRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK تحقيق
IRF3707ZCSTRR Image IRF3707ZCSTRR Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK تحقيق
IXFK170N10P Image IXFK170N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 تحقيق
SUD19P06-60L-E3 Image SUD19P06-60L-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 19A TO252 تحقيق
IXFJ40N30 IXYS MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 تحقيق
STL6N3LLH6 Image STL6N3LLH6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 تحقيق
NTD3055L104-1G Image NTD3055L104-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 12A IPAK تحقيق
NTD4815N-35G Image NTD4815N-35G ON Semiconductor MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED تحقيق
CSD16323Q3C Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON تحقيق
FQB4P25TM Image FQB4P25TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار