يشترى STB100N6F7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STB100N6F7
- رقم القطعة:
- STB100N6F7
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12827 Pieces
- ورقة البيانات:
- STB100N6F7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB100N6F7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB100N6F7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | STripFET™ F7 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.6 mOhm @ 50A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-15894-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STB100N6F7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1980pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTB100N6F7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STB100NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK | تحقيق |
 |
STB10N65K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK | تحقيق |
|
STB100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | تحقيق |
|
STB10NK60ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
IPD90N06S4L05ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | تحقيق |
 |
MCH6436-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6 | تحقيق |
|
STB100NF04T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | تحقيق |
 |
CSD25481F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR | تحقيق |
 |
FQAF8N80 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF | تحقيق |
 |
IXTV22N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
STB100NF03L-03-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK | تحقيق |
|
STB10NK60Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | تحقيق |
|
STB10N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK | تحقيق |
|
STB10N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK | تحقيق |
|
STB100NF03L-03T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog