يشترى STB18N60M2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STB18N60M2
- رقم القطعة:
- STB18N60M2
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14297 Pieces
- ورقة البيانات:
- STB18N60M2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB18N60M2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB18N60M2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±25V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | MDmesh™ II Plus |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 280 mOhm @ 6.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 110W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-13933-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STB18N60M2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 791pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 21.5nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTB18N60M2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STB180N55F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK | تحقيق |
 |
STY100NS20FD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 100A MAX247 | تحقيق |
 |
STB18N55M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK | تحقيق |
|
STB18N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF1704 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 170A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB7740PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 87A TO220 | تحقيق |
|
STB18NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK | تحقيق |
|
STB185N55F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK | تحقيق |
 |
STP6N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 | تحقيق |
 |
BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 | تحقيق |
|
STB18NF30 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK | تحقيق |
|
STB18NM80 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | تحقيق |
|
STB18NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTK8N150L | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264 | تحقيق |
|
STB18N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A | تحقيق |
 |
IXFV12N90PS | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD | تحقيق |
|
STB18NF25 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog