STB20NM60-1
STB20NM60-1
رقم القطعة:
STB20NM60-1
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14184 Pieces
ورقة البيانات:
STB20NM60-1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB20NM60-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB20NM60-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STB20NM60-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:MDmesh™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:290 mOhm @ 10A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):192W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:497-5383-5
STB20NM60-1-ND
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STB20NM60-1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:54nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole I2PAK
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات