العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STB30NF10T4
STB30NF10T4
STB30NF10T4
رقم القطعة:
STB30NF10T4
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17556 Pieces
ورقة البيانات:
STB30NF10T4.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB30NF10T4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB30NF10T4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STB30NF10T4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D2PAK
سلسلة:STripFET™ II
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:45 mOhm @ 15A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):115W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:497-6550-6
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:STB30NF10T4
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1180pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:55nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 35A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D2PAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTB30NF10T4

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPD90N06S405ATMA1 Image IPD90N06S405ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 تحقيق
BUK7C4R5-100EJ Image BUK7C4R5-100EJ NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7 تحقيق
STB30NF20 Image STB30NF20 STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK تحقيق
2SK3823 Image 2SK3823 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 تحقيق
SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC تحقيق
IRLZ24STRR Image IRLZ24STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK تحقيق
BUK7Y153-100EX Image BUK7Y153-100EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK تحقيق
IRF9640S Image IRF9640S Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK تحقيق
JAN2N6849 Microsemi Corporation MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 تحقيق
CSD17302Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 87A 8SON تحقيق
STB30NM60ND Image STB30NM60ND STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK تحقيق
IXFP14N85X Image IXFP14N85X IXYS MOSFET N-CH 850V 14A TO220-3 تحقيق
STB30NM50N Image STB30NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK تحقيق
STB30NM60N Image STB30NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK تحقيق
STB30NF20L Image STB30NF20L STMicroelectronics MOSFET N CH 200V 30A D2PAK تحقيق
AOT2606L Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 13A TO220 تحقيق
IRF840 Image IRF840 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB تحقيق
NP100P06PDG-E1-AY Image NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 تحقيق
STB300NH02L Image STB300NH02L STMicroelectronics MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK تحقيق
STB30N65M5 Image STB30N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار