يشترى STB6N65M2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STB6N65M2
- رقم القطعة:
- STB6N65M2
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15742 Pieces
- ورقة البيانات:
- STB6N65M2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB6N65M2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB6N65M2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±25V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | MDmesh™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.35 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 60W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-15047-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STB6N65M2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 226pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 9.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTB6N65M2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STB6N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK | تحقيق |
 |
STB6N65K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V D2PAK | تحقيق |
 |
STB6NK60ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK | تحقيق |
 |
STB6NK60Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK | تحقيق |
|
STB6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V D2PAK | تحقيق |
|
CSD18541F5T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR | تحقيق |
 |
NTD50N03RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK | تحقيق |
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK | تحقيق |
|
AUIRFS8403TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK | تحقيق |
|
STB6N52K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTT11P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 | تحقيق |
|
STB6NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK | تحقيق |
|
STB6N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK | تحقيق |
 |
IRL3303LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 38A TO-262 | تحقيق |
 |
5HN01SS-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA SMD | تحقيق |
 |
DMP2022LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog