العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STB7ANM60N
STB7ANM60N
STB7ANM60N
رقم القطعة:
STB7ANM60N
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 600V DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19772 Pieces
ورقة البيانات:
STB7ANM60N.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB7ANM60N ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB7ANM60N عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STB7ANM60N مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250mA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D2PAK
سلسلة:MDmesh™ II
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:900 mOhm @ 2.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):45W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:497-13935-2
STB7ANM60N-ND
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:22 Weeks
الصانع الجزء رقم:STB7ANM60N
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:363pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:14nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTB7ANM60N

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
AOD3N80 Image AOD3N80 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252 تحقيق
STP50NE08 Image STP50NE08 STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 50A TO-220 تحقيق
IXTA200N055T2 Image IXTA200N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 تحقيق
FQPF5N20 Image FQPF5N20 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 3.5A TO-220F تحقيق
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK تحقيق
FMD47-06KC5 IXYS MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5 تحقيق
IXTA8PN50P Image IXTA8PN50P IXYS MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK تحقيق
2N7002ET1G Image 2N7002ET1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 تحقيق
BSH111,215 Image BSH111,215 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 تحقيق
IPD70R360P7SAUMA1 Image IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 34A DPAK تحقيق
IRLML0100TRPBF Image IRLML0100TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 تحقيق
IXTH80N65X2 Image IXTH80N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 تحقيق
FDP75N08A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 75V 75A TO-220 تحقيق
IXFB210N20P Image IXFB210N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 تحقيق
STU16N65M2 Image STU16N65M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 11A IPAK تحقيق
DMP6023LSS-13 Image DMP6023LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO تحقيق
ZVP3310A Image ZVP3310A Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 تحقيق
SI5435BDC-T1-GE3 Image SI5435BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 تحقيق
IRF8113TR Image IRF8113TR Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC تحقيق
APT11N80KC3G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 تحقيق

Latest الأخبار