يشترى STD11NM60N-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STD11NM60N-1
- رقم القطعة:
- STD11NM60N-1
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19990 Pieces
- ورقة البيانات:
- STD11NM60N-1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STD11NM60N-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STD11NM60N-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | MDmesh™ II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 450 mOhm @ 5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 90W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | 497-5963-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STD11NM60N-1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 850pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 31nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTD11NM60N-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STD11NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | تحقيق |
|
STD11NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 9A DPAK | تحقيق |
|
STD11NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | تحقيق |
 |
IRL7833PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB | تحقيق |
|
STD11NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A DPAK | تحقيق |
|
STD11N60DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., | تحقيق |
 |
IPD50P03P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
|
STD11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK | تحقيق |
|
STD11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 9A DPAK | تحقيق |
|
STD11N60M2-EP | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP., | تحقيق |
|
STD11N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 8A DPAK | تحقيق |
|
STD110N8F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 80A DPAK | تحقيق |
|
STD110NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog