يشترى STD12N65M2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±25V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
سلسلة: | MDmesh™ M2 |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 500 mOhm @ 4A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 85W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
اسماء اخرى: | 497-15458-2 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | STD12N65M2 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 535pF @ 100V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16.5nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 650V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
وصف: | MOSFET N-CH 650V 8A DPAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |