يشترى STD13N65M2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STD13N65M2
- رقم القطعة:
- STD13N65M2
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13990 Pieces
- ورقة البيانات:
- STD13N65M2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STD13N65M2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STD13N65M2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±25V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | MDmesh™ M2 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 430 mOhm @ 5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 110W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | 497-15460-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STD13N65M2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 590pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTD13N65M2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STD13003T4 | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 1.5A DPAK | تحقيق |
 |
SI4435DY | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
STE180NE10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP | تحقيق |
 |
IRF6894MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | تحقيق |
 |
STD13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | تحقيق |
 |
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | تحقيق |
|
STD13NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | تحقيق |
 |
IRLR3715ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 49A DPAK | تحقيق |
 |
IXTX210P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247 | تحقيق |
 |
SFT1443-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA DPAK | تحقيق |
|
STD13NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | تحقيق |
|
STD130N4F6AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | تحقيق |
|
STD13N60DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP., | تحقيق |
 |
PHM18NQ15T,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1 | تحقيق |
 |
IXTK90N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 90A TO-264 | تحقيق |
 |
IRF9630STRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK | تحقيق |
|
IRL5602STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTF230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog