يشترى STD4NK50ZD-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STD4NK50ZD-1
- رقم القطعة:
- STD4NK50ZD-1
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14946 Pieces
- ورقة البيانات:
- STD4NK50ZD-1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STD4NK50ZD-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STD4NK50ZD-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | SuperMESH™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 45W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | 497-5964-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STD4NK50ZD-1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 310pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 12nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTD4NK50ZD-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFZ44ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | تحقيق |
 |
STD4NK50ZD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | تحقيق |
|
STD4NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK | تحقيق |
 |
STD4NK50Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK | تحقيق |
|
STD4NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | تحقيق |
|
STD4NK80ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | تحقيق |
|
STD4NK80Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | تحقيق |
 |
ZXMN3B04N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC | تحقيق |
 |
IRFR210TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK | تحقيق |
 |
BUK9M17-30EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK | تحقيق |
|
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | تحقيق |
|
STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | تحقيق |
|
STD3NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog