يشترى STD8NM60N-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STD8NM60N-1
- رقم القطعة:
- STD8NM60N-1
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19442 Pieces
- ورقة البيانات:
- STD8NM60N-1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STD8NM60N-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STD8NM60N-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | MDmesh™ II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 650 mOhm @ 3.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 70W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STD8NM60N-1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 560pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 19nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTD8NM60N-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STD8NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK | تحقيق |
|
STD8NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK | تحقيق |
 |
NTB75N06T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
|
STD8NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK | تحقيق |
 |
SI4491EDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO | تحقيق |
 |
AON4407_003 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN | تحقيق |
 |
SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI1413EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6 | تحقيق |
 |
IRFL4310PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 | تحقيق |
 |
STP90N6F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRL3303D1STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK | تحقيق |
 |
RJL6020DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P | تحقيق |
|
IPB072N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | تحقيق |
 |
IXTP86N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 86A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog