STD8NM60N-1
STD8NM60N-1
رقم القطعة:
STD8NM60N-1
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19442 Pieces
ورقة البيانات:
STD8NM60N-1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STD8NM60N-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STD8NM60N-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STD8NM60N-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:MDmesh™ II
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:650 mOhm @ 3.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):70W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STD8NM60N-1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:560pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:19nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات