يشترى STD90N03L-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STD90N03L-1
- رقم القطعة:
- STD90N03L-1
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16832 Pieces
- ورقة البيانات:
- STD90N03L-1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STD90N03L-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STD90N03L-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | STripFET™ III |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.7 mOhm @ 40A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 95W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STD90N03L-1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2805pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 32nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 80A (Tc) 95W (Tc) Through Hole I-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 80A IPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTD90N03L-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STD901T | STMicroelectronics | TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK | تحقيق |
 |
STD90N02L-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 60A IPAK | تحقيق |
|
STD90N03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK | تحقيق |
|
STD90N02L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 60A DPAK | تحقيق |
 |
STW50NB20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247 | تحقيق |
 |
IRFSL38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3 | تحقيق |
|
STD90NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 60A DPAK | تحقيق |
|
STD90N4F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | تحقيق |
 |
PSMN017-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK | تحقيق |
 |
FQU5N50CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A IPAK | تحقيق |
 |
IRF640SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | تحقيق |
 |
RTR011P02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3 | تحقيق |
 |
SI7806ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 | تحقيق |
 |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | تحقيق |
 |
DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 20A TO252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog