يشترى STGB4M65DF2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STGB4M65DF2
- رقم القطعة:
- STGB4M65DF2
- الصانع:
- ST
- وصف:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17819 Pieces
- ورقة البيانات:
- STGB4M65DF2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STGB4M65DF2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STGB4M65DF2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 4A |
| اختبار حالة: | 400V, 4A, 47 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 12ns/86ns |
| تحويل الطاقة: | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | M |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 133ns |
| السلطة - ماكس: | 68W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-16964-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STGB4M65DF2 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 15.2nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK |
| وصف: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 16A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTGB4M65DF2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRG7PH50K10D-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 90A 400W TO247AD | تحقيق |
 |
FGB3245G2_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT | تحقيق |
 |
IRG4BC30W-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | تحقيق |
 |
IRGP4066DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 140A 454W TO247AC | تحقيق |
 |
STGB40V60F | STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 283W D2PAK | تحقيق |
|
STGB40H65FB | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB | تحقيق |
 |
FGB40T65SPD_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IXGA12N60C | IXYS | IGBT 600V 24A 100W TO263AA | تحقيق |
|
IRG4BC30K-STRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 100W D2PAK | تحقيق |
 |
IXYH30N65C3 | IXYS | IGBT 650V 60A 270W TO247AD | تحقيق |
|
IRGP4690D-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 140A 454W TO247AD | تحقيق |
 |
IXGQ20N120B | IXYS | IGBT 1200V 40A 190W TO3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog