يشترى STGD3NB60SDT4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STGD3NB60SDT4
- رقم القطعة:
- STGD3NB60SDT4
- الصانع:
- ST
- وصف:
- IGBT 600V 6A 48W DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13220 Pieces
- ورقة البيانات:
- STGD3NB60SDT4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STGD3NB60SDT4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STGD3NB60SDT4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.5V @ 15V, 3A |
| اختبار حالة: | 480V, 3A, 1 kOhm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 125µs/- |
| تحويل الطاقة: | 1.15mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | PowerMESH™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 1.7µs |
| السلطة - ماكس: | 48W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | 497-4109-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STGD3NB60SDT4 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 18nC |
| وصف موسع: | IGBT 600V 6A 48W Surface Mount D-Pak |
| وصف: | IGBT 600V 6A 48W DPAK |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 25A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTGD3NB60SDT4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
|
STGD3NB60FT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 60W DPAK | تحقيق |
|
STGD3NB60HDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 10A 50W DPAK | تحقيق |
 |
IXXX200N60C3 | IXYS | IGBT 600V 200A PLUS247 | تحقيق |
 |
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 7.5A 38W DPAK | تحقيق |
|
STGD3NB60SD-1 | STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 48W DPAK | تحقيق |
 |
APT25GR120B | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W TO247 | تحقيق |
 |
IRGS4715DTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 650V D2-PAK | تحقيق |
 |
IRG4RC10UTRR | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | تحقيق |
 |
IXGR35N120C | IXYS | IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
SGW5N60RUFDTM | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 8A 60W D2PAK | تحقيق |
|
IRG8CH106K10F | Infineon Technologies | IGBT 1200V 110A DIE | تحقيق |
 |
IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 | تحقيق |
|
IRG4IBC20FDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog