يشترى STGW50HF60SD مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STGW50HF60SD
- رقم القطعة:
- STGW50HF60SD
- الصانع:
- ST
- وصف:
- IGBT 600V 110A 284W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14999 Pieces
- ورقة البيانات:
- STGW50HF60SD.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STGW50HF60SD ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STGW50HF60SD عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.45V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 50ns/220ns |
| تحويل الطاقة: | 250µJ (on), 4.2mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 67ns |
| السلطة - ماكس: | 284W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 497-11089-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STGW50HF60SD |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 200nC |
| وصف موسع: | IGBT 600V 110A 284W Through Hole TO-247-3 |
| وصف: | IGBT 600V 110A 284W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 130A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 110A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTGW50HF60SD
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW50H60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 100A 360W TO247 | تحقيق |
|
STGW50HF60S | STMicroelectronics | IGBT 600V 110A 284W TO247 | تحقيق |
 |
IXSQ20N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 35A 190W TO3P | تحقيق |
|
STGW50NC60W | STMicroelectronics | IGBT 600V 100A 285W TO247 | تحقيق |
 |
IXXH75N60C3 | IXYS | IGBT 600V 150A 750W TO247 | تحقيق |
|
IXXH50N60B3 | IXYS | IGBT 600V 120A 600W TO247 | تحقيق |
 |
FGH60N60SFDTU_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 378W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4PC40UD-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 160W TO247AD | تحقيق |
 |
IRG4IBC30FD | Infineon Technologies | IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP | تحقيق |
 |
SKB06N60HSATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 68W TO263-3 | تحقيق |
|
IRG4BC30WSTRR | Infineon Technologies | IGBT D2PAK | تحقيق |
|
FGA50N100BNTD2 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO3P | تحقيق |
 |
IXYX100N65B3D1 | IXYS | IGBT 650V 188A 1150W PLUS247 | تحقيق |
 |
SKW20N60FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 179W TO247-3 | تحقيق |
 |
IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 100W TO252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog