يشترى STGW80H65DFB مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STGW80H65DFB
- رقم القطعة:
- STGW80H65DFB
- الصانع:
- ST
- وصف:
- IGBT 650V 120A 469W TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14960 Pieces
- ورقة البيانات:
- STGW80H65DFB.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STGW80H65DFB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STGW80H65DFB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2V @ 15V, 80A |
| اختبار حالة: | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 84ns/280ns |
| تحويل الطاقة: | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 85ns |
| السلطة - ماكس: | 469W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 497-14368 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STGW80H65DFB |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 414nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247 |
| وصف: | IGBT 650V 120A 469W TO-247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 240A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 120A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTGW80H65DFB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW80H65FB-4 | STMicroelectronics | IGBT BIPO 650V 80A TO247 | تحقيق |
 |
STGW80H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO-247 | تحقيق |
 |
IXGH30N60C2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO247 | تحقيق |
 |
SGH80N60UFTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 195W TO3P | تحقيق |
|
IXSH35N100A | IXYS | IGBT 1000V 70A 300W TO247AD | تحقيق |
|
STGW80V60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 120A 469W TO247 | تحقيق |
|
STGW80V60F | STMicroelectronics | IGBT 600V 120A 469W TO247 | تحقيق |
 |
IXGK120N120B3 | IXYS | IGBT 1200V 200A 830W TO264 | تحقيق |
|
STGW80H65DFB-4 | STMicroelectronics | IGBT BIPO 650V 80A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog