يشترى STH290N4F6-6AG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STH290N4F6-6AG
- رقم القطعة:
- STH290N4F6-6AG
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19189 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.STH290N4F6-6AG.pdf2.STH290N4F6-6AG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STH290N4F6-6AG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STH290N4F6-6AG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | H2PAK-6 |
| سلسلة: | STripFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.7 Ohm @ 45A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| اسماء اخرى: | 497-16510-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STH290N4F6-6AG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7380pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 115nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 40V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف: | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTH290N4F6-6AG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7402PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
STH290N4F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V H2PAK-2 | تحقيق |
 |
STH290N4F6-2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 | تحقيق |
|
STH290N4F6-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V H2PAK-6 | تحقيق |
 |
SI7483ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
TK39J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P | تحقيق |
|
SI7880ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
IRFL214TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 | تحقيق |
 |
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | تحقيق |
 |
IRLR9343-701PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK | تحقيق |
 |
2SK3703-1EX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog