STI10NM60N
STI10NM60N
رقم القطعة:
STI10NM60N
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14069 Pieces
ورقة البيانات:
STI10NM60N.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STI10NM60N ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STI10NM60N عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STI10NM60N مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:MDmesh™ II
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:550 mOhm @ 4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):70W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:497-13839-5
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STI10NM60N
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:540pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:19nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات