STI11NM60ND
STI11NM60ND
رقم القطعة:
STI11NM60ND
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14766 Pieces
ورقة البيانات:
STI11NM60ND.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STI11NM60ND ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STI11NM60ND عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STI11NM60ND مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:FDmesh™ II
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:450 mOhm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):90W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STI11NM60ND
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:850pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات