العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STI14NM65N
STI14NM65N
STI14NM65N
رقم القطعة:
STI14NM65N
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18093 Pieces
ورقة البيانات:
STI14NM65N.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STI14NM65N ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STI14NM65N عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STI14NM65N مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:MDmesh™ II
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:380 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STI14NM65N
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1300pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:45nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTI14NM65N

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRF7467 Image IRF7467 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC تحقيق
IXFH102N15T Image IXFH102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 تحقيق
STH270N8F7-6 Image STH270N8F7-6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 تحقيق
IRFD120 Image IRFD120 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP تحقيق
STI14NM50N Image STI14NM50N STMicroelectronics MOSFET N CH 500V 12A I2PAK تحقيق
IPB60R280C6 Image IPB60R280C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 تحقيق
FDP8441_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB تحقيق
STU6N90K5 Image STU6N90K5 STMicroelectronics N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 تحقيق
IRL3716STRRPBF Image IRL3716STRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK تحقيق
SPB80N08S2L-07 Image SPB80N08S2L-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK تحقيق
FQD1N50TF Image FQD1N50TF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK تحقيق
BUK9612-55B,118 Image BUK9612-55B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار