يشترى STI16N65M5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STI16N65M5
- رقم القطعة:
- STI16N65M5
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 20126 Pieces
- ورقة البيانات:
- STI16N65M5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STI16N65M5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STI16N65M5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I2PAK |
| سلسلة: | MDmesh™ V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 279 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 90W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | 497-11327-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STI16N65M5 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1250pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 31nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTI16N65M5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | تحقيق |
 |
IXFV30N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD | تحقيق |
|
IXFV110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220 | تحقيق |
 |
NVTFS5824NLTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A U8FL | تحقيق |
 |
STI16NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK | تحقيق |
 |
FDPF44N25T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F | تحقيق |
 |
STL160N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56 | تحقيق |
 |
IPB019N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | تحقيق |
 |
IXTP10N60PM | IXYS | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 | تحقيق |
 |
DMP6350S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23 | تحقيق |
 |
JANTXV2N7224U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 34A | تحقيق |
 |
FDFME2P823ZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET | تحقيق |
 |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | تحقيق |
|
IXFP5N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 | تحقيق |
 |
FKI06075 | Sanken | MOSFET N-CH 60V 52A TO-220F | تحقيق |
|
JANTXV2N6788U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 4.5A | تحقيق |
 |
NTD60N03T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 60A DPAK | تحقيق |
 |
IXTH260N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 260A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH36P15P | IXYS | MOSFET P-CH 150V 36A TO-247 | تحقيق |
 |
NDC652P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog