يشترى STL7N6F7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STL7N6F7
- رقم القطعة:
- STL7N6F7
- الصانع:
- ST
- وصف:
- N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12793 Pieces
- ورقة البيانات:
- STL7N6F7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STL7N6F7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STL7N6F7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerFlat™ (2x2) |
| سلسلة: | STripFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 25 mOhm @ 3.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.4W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-PowerWDFN |
| اسماء اخرى: | 497-16934-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STL7N6F7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 450pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 7A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount PowerFlat™ (2x2) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP., |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTL7N6F7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AOTF22N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 22A TO220F | تحقيق |
 |
STL7N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL7N6LF3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 20A PWRFLAT8 | تحقيق |
 |
BUK9609-75A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
STL18N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT | تحقيق |
 |
IXTB30N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 | تحقيق |
 |
BSS84P E6433 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
NTTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN | تحقيق |
 |
IRFU210 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK | تحقيق |
|
STL7N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT | تحقيق |
 |
PMR370XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416 | تحقيق |
 |
STL7NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT | تحقيق |
 |
WPB4002-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L | تحقيق |
 |
IXKH30N60C5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD | تحقيق |
 |
GP1M005A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK | تحقيق |
 |
US5U38TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 | تحقيق |
|
STL7N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT | تحقيق |
 |
IXTQ18N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers