العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STP55NF06
STP55NF06
STP55NF06
رقم القطعة:
STP55NF06
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17259 Pieces
ورقة البيانات:
STP55NF06.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STP55NF06 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STP55NF06 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STP55NF06 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:STripFET™ II
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:18 mOhm @ 27.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):110W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:497-2777-5
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:STP55NF06
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:60nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 50A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTP55NF06

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
CSD18535KTTT Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 200A TO-263 تحقيق
NTMFS5C410NLT3G Image NTMFS5C410NLT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 46A SO8FL تحقيق
STP55NF06L Image STP55NF06L STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 55A TO-220 تحقيق
SI4477DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC تحقيق
IPD60R3K3C6 Image IPD60R3K3C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 تحقيق
SI7114ADN-T1-GE3 Image SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 تحقيق
APT15F50K Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 تحقيق
AON6534 Image AON6534 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 20A DFN5X6 تحقيق
SUP36N20-54P-E3 Image SUP36N20-54P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB تحقيق
IRF740A Image IRF740A Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB تحقيق
STP55NF06FP Image STP55NF06FP STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP تحقيق
DMN6068LK3-13 Image DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 6A DPAK تحقيق
FDA8440 Image FDA8440 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN تحقيق
SIHG21N60EF-GE3 Image SIHG21N60EF-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC تحقيق
IRFHM8228TRPBF Image IRFHM8228TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN تحقيق
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE تحقيق
STH180N10F3-2 Image STH180N10F3-2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK تحقيق
ZVNL120C Diodes Incorporated MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 تحقيق

Latest الأخبار