STS4C3F60L - STMicroelectronics - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف STS4C3F60L

STS4C3F60L

رقم القطعة:: STS4C3F60L

الصانع:: ST

وصف:: MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17595 Pieces

ورقة البيانات:: STS4C3F60L.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STS4C3F60L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STS4C3F60L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى STS4C3F60L مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	8-SO
سلسلة:	STripFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	55 mOhm @ 2A, 10V
السلطة - ماكس:	2W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:	497-4396-2
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	STS4C3F60L
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	1030pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	20.4nC @ 4.5V
نوع FET:	N and P-Channel
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array N and P-Channel 60V 4A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	60V
وصف:	MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	4A, 3A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSTS4C3F60L

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
IPG20N04S412ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	تحقيق
APTM10HM09FT3G	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3	تحقيق
SM6K2T110	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457	تحقيق
FDG6301N_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6	تحقيق
STL20DNF06LAG	STMicroelectronics	MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT	تحقيق
TT8J2TR	Rohm Semiconductor	MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8	تحقيق
ZXMN2A04DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار