يشترى STTA806DI مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STTA806DI
- رقم القطعة:
- STTA806DI
- الصانع:
- ST
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18577 Pieces
- ورقة البيانات:
- STTA806DI.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STTA806DI ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STTA806DI عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.75V @ 8A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AC ins |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | TURBOSWITCH™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 52ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
| اسماء اخرى: | 497-2399 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STTA806DI |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC ins |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 8A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTA806DI
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N1190AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5 | تحقيق |
 |
STTA806G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | تحقيق |
 |
SBRA401T3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY SMA | تحقيق |
 |
STTA812D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | تحقيق |
|
STTA806G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | تحقيق |
|
STTA806D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | تحقيق |
 |
VS-85HF120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB | تحقيق |
 |
SCFS2000 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 2KV 1.5A AXIAL | تحقيق |
 |
SGL41-40-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB | تحقيق |
 |
EGP10AHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL | تحقيق |
 |
SDURF820 | SMC Diode Solutions | DIODE GEN PURP 200V ITO220AC | تحقيق |
 |
STTA812DIRG | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | تحقيق |
 |
UF2001-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 2A DO15 | تحقيق |
 |
1N5195 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog